Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 34

Wokół strony 15% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

17.3 13.4

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

14.5 9.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 12800

Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2423 3606

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns