RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3606
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link