RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
36
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3044
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link