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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
36
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3044
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-077.A00G 16GB
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Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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