RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
29
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2816
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link