RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2816
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link