RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link