RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link