RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2469
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link