RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
46
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2469
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link