RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
71
Rund um 59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
1979
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Jinyu 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HMP351S6AFR8C-S6 4GB
SK Hynix HMP351S6AFR8C-S6 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link