RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
71
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
71
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1979
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link