Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB против Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    21 left arrow 46
    Около -119% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.1 left arrow 4.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.8 left arrow 4.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 21
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4.8 left arrow 18.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    4.5 left arrow 14.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1046 left arrow 3087
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения