RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB против Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Средняя оценка
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
46
Около -119% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
4.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
4.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
21
Скорость чтения, Гб/сек
4.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
4.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1046
3087
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link