RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB против Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Средняя оценка
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
46
Около -119% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
4.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
4.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
21
Скорость чтения, Гб/сек
4.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
4.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1046
3087
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link