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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Pontuação geral
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
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Razões a considerar
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
46
Por volta de -119% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
4.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
4.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
21
Velocidade de leitura, GB/s
4.8
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
4.5
14.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1046
3087
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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