RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905624-009.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2377
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Intel 99P5471-013.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link