RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
34
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
34
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2377
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link