RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2377
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link