RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
87
Wokół strony -383% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3607
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link