RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
23.4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
23.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
18.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
4208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link