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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
23.4
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
23.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
4208
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
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