RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3501
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link