RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3501
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link