RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
66
Rund um 56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
1473
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link