RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
44
Rund um 45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.7
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2452
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link