RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
44
Por volta de 45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
44
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2452
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link