RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
374
Rund um 92% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
0.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
1.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
374
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
0.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
1.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
269
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link