RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
374
Wokół strony 92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
0.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
374
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
0.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
1.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
269
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link