RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
374
Wokół strony 92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
0.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
374
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
0.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
1.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
269
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link