RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2792
2711
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link