RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
33
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
20
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3632
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link