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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
33
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
20
读取速度,GB/s
17.6
20.3
写入速度,GB/s
12.0
15.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3632
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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