RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
33
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3632
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link