RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
70
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3632
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link