RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
27
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
20
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3632
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link