RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2327
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K821PJ-MIH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Jinyu 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link