RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
37
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3131
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link