RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3131
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link