RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
43
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
43
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2058
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link