RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
43
Rund um 44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2058
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link