RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
60
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
2.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
60
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
7.8
Скорость записи, Гб/сек
8.5
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
1505
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link