RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
29
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
18.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
4001
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link