RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
19.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
4001
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link