RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
45
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2281
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link