RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
45
Intorno 36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
45
Velocità di lettura, GB/s
13.4
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2281
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link