RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2601
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link