RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
29
Velocità di lettura, GB/s
13.4
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2601
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link