RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Confronto
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
41
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
10.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
38
Velocità di lettura, GB/s
10.7
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1335
3147
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link