RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
41
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1335
3147
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link