RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
68
Rund um 57% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
1812
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link