RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
71
104
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
8.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
1922
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link