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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
71
104
左右 -46% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
71
读取速度,GB/s
3,192.0
15.5
写入速度,GB/s
2,404.5
8.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
1922
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
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