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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

总分
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

总分
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Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

差异 规格 评论

差异

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
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Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 42
    左右 -91% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17 left arrow 13.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.9 left arrow 8.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    13.1 left arrow 17.0
  • 写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 8.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2307 left arrow 2623

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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
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