RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
42
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2307
2623
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link