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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
16.7
17.7
写入速度,GB/s
10.0
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3606
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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